Pemprosesan bahagian ketepatan mempunyai banyak kelebihan, kami sebelum ini telah berkongsi dengan anda kelebihan khusus pemprosesan bahagian ketepatan, yang paling jelas ialah anda boleh mencapai ketepatan tinggi pemprosesan biasa yang tidak dapat dicapai, ketepatan tinggi juga bergantung pada peralatan pemprosesan ketepatan dan kekangan yang tepat sistem, dan penggunaan topeng ketepatan sebagai perantaraan untuk mencapai jumlah bahan permukaan luaran dikeluarkan atau ditambah untuk membuat kawalan yang sangat halus, kemudian pemprosesan bahagian ketepatan Apakah ciri-ciri? Berikut adalah bahagian kecil untuk memberi anda pengenalan terperinci kepada yang berikut.
A, pemprosesan pemotongan bahagian ketepatan
Terdapat terutamanya pusingan ketepatan, pengisaran cermin dan pengisaran. Dalam mesin pelarik ketepatan dengan alat pemusing berlian kristal tunggal yang dikisar halus untuk memegang putaran mikro, ketebalan pemotongan hanya kira-kira 1 mikron, biasanya digunakan dalam pemprosesan bahan logam bukan ferus seperti cermin sfera, asfera dan rata dan lain-lain ketepatan tinggi , penampilan bahagian yang sangat digilap.
Kedua, pemprosesan bahagian ketepatan
Kejituan pemprosesan bahagian ketepatan kepada nanometer, atau akhirnya kepada unit atom (jarak kekisi atom {{0}}.1 hingga 0.2 nanometer) sebagai matlamat, kaedah pemotongan dan pemprosesan bahagian ultra-ketepatan tidak lagi boleh menyesuaikan diri , adalah perlu untuk menggunakan kaedah pemprosesan bahagian ketepatan khas, iaitu, penggunaan tenaga kimia, tenaga elektrokimia, haba atau elektrik, dsb., supaya tenaga ini melebihi tenaga sendi antara atom, untuk mengeluarkan sebahagian daripada rupa bahan kerja lekatan antara atom, Tujuan pemesinan ultra-kepersisan dicapai dengan menggunakan tenaga kimia, elektrokimia, haba atau elektrik, dsb., supaya tenaga ini melebihi tenaga kesatuan antara atom, dengan itu mengeluarkan sebahagian daripada antara- lekatan atom, kesatuan atau ubah bentuk kekisi bahagian luar bahan kerja. Proses ini termasuk penggilapan mekanokimia, percikan ion dan implantasi ion, pendedahan pancaran elektron, pemprosesan pancaran laser, pemendapan wap logam dan epitaksi pancaran molekul.